0 0 0
  8. YJG70G06A

Транзисторы с каналом N SMD YJG70G06A

 
YJG70G06A
 
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 530432
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 44А; 28Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
27.43 грн
25+
24.66 грн
55+
18.87 грн
145+
17.84 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN5060-8(1741660)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
44А(1479353)
Сопротивление в открытом состоянии
9,5мОм(1479384)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
28Вт(1520807)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
34нC(1479140)
Технология
SPLIT GATE TRENCH(1741657)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
210А(1789202)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD YJG70G06A
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 530432
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 44А; 28Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
27.43 грн
25+
24.66 грн
55+
18.87 грн
145+
17.84 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
DFN5060-8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
44А
Сопротивление в открытом состоянии
9,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
28Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
34нC
Технология
SPLIT GATE TRENCH
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
210А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g