0 0 0
  7. DMC2004VK-7

Транзистори багатоканальні DMC2004VK-7

 
DMC2004VK-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000156
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,4Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.31 грн
10+
15.73 грн
88+
11.28 грн
241+
10.65 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494)
Напруга сток-джерело
20/-20В(1596061)
Струм стока
0,53/-0,67А(1643470)
Опір в стані провідності
0,55/0,9Ом(1644029)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
0,4Вт(1507572)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид транзистора
комплементарні(1492083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори багатоканальні DMC2004VK-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000156
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,4Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.31 грн
10+
15.73 грн
88+
11.28 грн
241+
10.65 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Напруга сток-джерело
20/-20В
Струм стока
0,53/-0,67А
Опір в стані провідності
0,55/0,9Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид транзистора
комплементарні
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g