0 0 0
  8. DMN53D0U-7

Транзистори з каналом N SMD DMN53D0U-7

 
DMN53D0U-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401841
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,3А; Idm: 0,5А; 0,52Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
19.05 грн
10+
13.41 грн
100+
6.28 грн
386+
2.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
50В(1441356)
Струм стока
0,3А(1644067)
Опір в стані провідності
2Ом(1441392)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,52Вт(1810759)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,5А(1709865)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори з каналом N SMD DMN53D0U-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401841
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,3А; Idm: 0,5А; 0,52Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
19.05 грн
10+
13.41 грн
100+
6.28 грн
386+
2.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
50В
Струм стока
0,3А
Опір в стані провідності
2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,52Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,5А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g