0 0 0
  8. ZXMS6006SGTA

Транзистори з каналом N SMD ZXMS6006SGTA

 
ZXMS6006SGTA
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 077812
Транзистор: N-MOSFET; IntelliFET™; польовий; 60В; 2,8А; 1Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
91.37 грн
15+
70.71 грн
20+
50.85 грн
55+
48.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
2,8А(1602409)
Опір в стані провідності
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Технологія
IntelliFET™(1740088)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD ZXMS6006SGTA
DIODES INCORPORATED
Артикул: 077812
Транзистор: N-MOSFET; IntelliFET™; польовий; 60В; 2,8А; 1Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
91.37 грн
15+
70.71 грн
20+
50.85 грн
55+
48.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
2,8А
Опір в стані провідності
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Технологія
IntelliFET™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g