0 0 0
  7. G3R20MT12N

Транзисторні модулі MOSFET G3R20MT12N

 
G3R20MT12N
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 455957
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 828.21 грн
3+
3 803.49 грн
10+
3 708.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 153 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Корпус
SOT227B(1440097)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
74А(1492305)
Опір в стані провідності
20мОм(1441284)
Потужність розсіювання
365Вт(1757727)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Технологія
SiC(1591568) G3R™(1832906)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...15В(1981523)
Струм стоку в імпульсі
240А(1741658)
Додаткова інформація: Маса брутто: 35,39 g
 
Транзисторні модулі MOSFET G3R20MT12N
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 455957
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 828.21 грн
3+
3 803.49 грн
10+
3 708.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 153 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.
Корпус
SOT227B
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
74А
Опір в стані провідності
20мОм
Потужність розсіювання
365Вт
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Технологія
SiC
Технологія
G3R™
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...15В
Струм стоку в імпульсі
240А
Додаткова інформація: Маса брутто: 35,39 g