0 0 0
  8. BSZ067N06LS3GATMA1

Транзистори з каналом N SMD BSZ067N06LS3GATMA1

 
BSZ067N06LS3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169000
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 20А; 69Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
119.73 грн
5+
99.91 грн
15+
68.98 грн
40+
65.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
20А(1441300)
Опір в стані провідності
6,7мОм(1599495)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
69Вт(1708603)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSZ067N06LS3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169000
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 20А; 69Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
119.73 грн
5+
99.91 грн
15+
68.98 грн
40+
65.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
20А
Опір в стані провідності
6,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
69Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g