Транзистори з каналом N SMD BSZ0901NSIATMA1

 
BSZ0901NSIATMA1
 
Артикул: 075814
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
108.37 грн
10+
88.45 грн
15+
65.34 грн
42+
62.15 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
40А(1441305)
Опір в стані провідності
2,1мОм(1479565)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
69Вт(1708603)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™(1596284)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSZ0901NSIATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075814
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
108.37 грн
10+
88.45 грн
15+
65.34 грн
42+
62.15 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
40А
Опір в стані провідності
2,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
69Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g