0 0 0
  8. BSZ22DN20NS3GATMA1

Транзистори з каналом N SMD BSZ22DN20NS3GATMA1

 
BSZ22DN20NS3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1168999
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 7А; 34Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
62.64 грн
3+
56.53 грн
10+
49.79 грн
23+
43.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
7А(1441285)
Опір в стані провідності
0,225Ом(1780131)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
34Вт(1701968)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSZ22DN20NS3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1168999
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 7А; 34Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
62.64 грн
3+
56.53 грн
10+
49.79 грн
23+
43.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
7А
Опір в стані провідності
0,225Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
34Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g