0 0 0
  8. IPS70R360P7SAKMA1

Транзистори з каналом N THT IPS70R360P7SAKMA1

 
IPS70R360P7SAKMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078517
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; IPAK SL
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
85.81 грн
5+
69.92 грн
19+
54.03 грн
51+
50.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK SL(1714164)
Напруга сток-джерело
700В(1441588)
Струм стока
7,5А(1441286)
Опір в стані провідності
0,36Ом(1638677)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
59,5Вт(1741962)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
16,4нКл(1693694)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N THT IPS70R360P7SAKMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078517
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; IPAK SL
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
85.81 грн
5+
69.92 грн
19+
54.03 грн
51+
50.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
IPAK SL
Напруга сток-джерело
700В
Струм стока
7,5А
Опір в стані провідності
0,36Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
59,5Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
16,4нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g