0 0 0
  8. IXFJ26N50P3

Транзистори з каналом N THT IXFJ26N50P3

 
IXFJ26N50P3
 
IXYS
Артикул: 365166
Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; польовий; 500В; 14А; Idm: 78А; 180Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 178.91 грн
3+
1 114.39 грн
30+
1 092.09 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
ISO247™(1708305)
Час готовності
250нс(1440084)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
14А(1441298)
Опір в стані провідності
0,295Ом(1738133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
180Вт(1701962)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
42нКл(1478958)
Технологія
HiPerFET™(1667445) Polar3™(1733725)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
78А(1785360)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,115 g
 
Транзистори з каналом N THT IXFJ26N50P3
IXYS
Артикул: 365166
Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; польовий; 500В; 14А; Idm: 78А; 180Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 178.91 грн
3+
1 114.39 грн
30+
1 092.09 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
ISO247™
Час готовності
250нс
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
14А
Опір в стані провідності
0,295Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
180Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
42нКл
Технологія
HiPerFET™
Технологія
Polar3™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
78А
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,115 g