0 0 0
  8. APT40GP90B2DQ2G

Транзисторы IGBT THT APT40GP90B2DQ2G

 
APT40GP90B2DQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418063
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 50А; 543Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 420.61 грн
2+
1 343.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напруги колектор-емітер
900В(1440903)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
50А(1440988)
Струм колектора в імпульсі
160А(1694411)
Час ввімкнення
37нс(1607623)
Час вимкнення
0,22мкс(1747764)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
543Вт(1742139)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
145нКл(1636390)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT40GP90B2DQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418063
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 50А; 543Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 420.61 грн
2+
1 343.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напруги колектор-емітер
900В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
50А
Струм колектора в імпульсі
160А
Час ввімкнення
37нс
Час вимкнення
0,22мкс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
543Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
145нКл
Технологія
POWER MOS 7®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g