0 0 0
  8. NXV90EPR

Транзистори з каналом P SMD NXV90EPR

 
NXV90EPR
 
NEXPERIA
Артикул: 725811
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -1А; Idm: -6А; 340мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.28 грн
25+
8.42 грн
100+
7.47 грн
145+
6.94 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-1А(1492341)
Опір в стані провідності
0,2Ом(1492329)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,34Вт(1805617)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
5,2нКл(1634355)
Технологія
Trench(1712977)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-6А(1810531)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD NXV90EPR
NEXPERIA
Артикул: 725811
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -1А; Idm: -6А; 340мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.28 грн
25+
8.42 грн
100+
7.47 грн
145+
6.94 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-1А
Опір в стані провідності
0,2Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,34Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
5,2нКл
Технологія
Trench
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g