0 0 0
  7. FDS6912A

Транзистори багатоканальні FDS6912A

 
FDS6912A
 
ONSEMI
Артикул: 1066743
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6А; 1,6Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
38.34 грн
25+
34.29 грн
33+
30.80 грн
91+
29.13 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2475 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
6А(1441388)
Опір в стані провідності
28мОм(1441275)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
8,1нКл(1479223)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,152 g
 
Транзистори багатоканальні FDS6912A
ONSEMI
Артикул: 1066743
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6А; 1,6Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
38.34 грн
25+
34.29 грн
33+
30.80 грн
91+
29.13 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2475 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
6А
Опір в стані провідності
28мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
8,1нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,152 g