0 0 0
  8. FQA8N90C-F109

Транзистори з каналом N THT FQA8N90C-F109

 
FQA8N90C-F109
 
ONSEMI
Артикул: 524855
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 5,1А; Idm: 32А; 240Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
244.55 грн
5+
219.85 грн
6+
176.08 грн
16+
166.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напруга сток-джерело
900В(1441403)
Струм стока
5,1А(1479146)
Опір в стані провідності
1,9Ом(1441363)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
240Вт(1741967)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
45нКл(1609966)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
32А(1789198)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT FQA8N90C-F109
ONSEMI
Артикул: 524855
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 5,1А; Idm: 32А; 240Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
244.55 грн
5+
219.85 грн
6+
176.08 грн
16+
166.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напруга сток-джерело
900В
Струм стока
5,1А
Опір в стані провідності
1,9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
240Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
45нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
32А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g