0 0 0
  8. STP130N6F7

Транзистори з каналом N THT STP130N6F7

 
STP130N6F7
 
STMicroelectronics
Артикул: 780668
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
155.73 грн
5+
139.84 грн
9+
112.03 грн
25+
105.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
5мОм(1479249)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
160Вт(1701927)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
42нКл(1478958)
Технологія
STripFET™ F7(1786522)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
320А(1741662)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP130N6F7
STMicroelectronics
Артикул: 780668
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
155.73 грн
5+
139.84 грн
9+
112.03 грн
25+
105.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
160Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
42нКл
Технологія
STripFET™ F7
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
320А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g