0 0 0
  8. CSD17577Q3AT

Транзисторы с каналом N SMD CSD17577Q3AT

 
CSD17577Q3AT
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 075880
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
106.25 грн
5+
89.72 грн
16+
65.32 грн
43+
61.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 185 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
VSONP8(1814810)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
35А(1441492)
Опір в стані провідності
5,3мОм(1479527)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
53Вт(1740746)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Розміри
3,3x3,3мм(1814799)
Заряд затвора
12нКл(1479115)
Технологія
NexFET™(1693688)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,055 g
 
Транзисторы с каналом N SMD CSD17577Q3AT
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 075880
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
106.25 грн
5+
89.72 грн
16+
65.32 грн
43+
61.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 185 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
VSONP8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
35А
Опір в стані провідності
5,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
53Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Розміри
3,3x3,3мм
Заряд затвора
12нКл
Технологія
NexFET™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,055 g