0 0 0
  8. SI1022R-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI1022R-T1-GE3

 
SI1022R-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 077367
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,24А; 0,13Вт; SC75A
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.81 грн
25+
20.74 грн
63+
15.89 грн
172+
15.02 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 3011 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC75A(1492398)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,24А(1717563)
Опір в стані провідності
1,25Ом(1441390)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,13Вт(1741775)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,6нКл(1639540)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,027 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI1022R-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 077367
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,24А; 0,13Вт; SC75A
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.81 грн
25+
20.74 грн
63+
15.89 грн
172+
15.02 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 3011 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SC75A
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,24А
Опір в стані провідності
1,25Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,13Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
0,6нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,027 g