0 0 0
  8. SI2309CDS-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI2309CDS-T1-GE3

 
SI2309CDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 140903
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,3А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
38.05 грн
50+
27.43 грн
65+
15.32 грн
177+
14.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 13206 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-1,3А(1636485)
Опір в стані провідності
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,1Вт(1449376)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
2,7нКл(1619510)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,028 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI2309CDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140903
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,3А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
38.05 грн
50+
27.43 грн
65+
15.32 грн
177+
14.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 13206 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-1,3А
Опір в стані провідності
0,45Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
2,7нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,028 g