0 0 0
  8. SI7629DN-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI7629DN-T1-GE3

 
SI7629DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 860512
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
78.66 грн
5+
69.92 грн
18+
54.82 грн
50+
51.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-35А(1733903)
Опір в стані провідності
11,7мОм(1479175)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
52Вт(1507407)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
177нКл(1712997)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-80А(1789209)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI7629DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 860512
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
78.66 грн
5+
69.92 грн
18+
54.82 грн
50+
51.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-35А
Опір в стані провідності
11,7мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
52Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
177нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g