0 0 0
  8. SIR500DP-T1-RE3

Транзистори з каналом N SMD SIR500DP-T1-RE3

 
SIR500DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 847024
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 350,8А; Idm: 500А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
74.28 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
350,8А(1986259)
Опір в стані провідності
0,68мОм(1693771)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
104,1Вт(1986260)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
180нКл(1479420)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
500А(1714522)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIR500DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 847024
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 350,8А; Idm: 500А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
74.28 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
350,8А
Опір в стані провідності
0,68мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
104,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
180нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
500А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g