0 0 0
  8. SQ3427AEEV-T1_GE3

Транзистори з каналом P SMD SQ3427AEEV-T1_GE3

 
SQ3427AEEV-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 952524
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -5,3А; Idm: -21А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.11 грн
10+
48.16 грн
25+
38.42 грн
34+
30.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-5,3А(1479053)
Опір в стані провідності
178мОм(1811073)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
22нКл(1479158)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-21А(1811072)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SQ3427AEEV-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 952524
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -5,3А; Idm: -21А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.11 грн
10+
48.16 грн
25+
38.42 грн
34+
30.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-5,3А
Опір в стані провідності
178мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
22нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-21А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g