0 0 0
  8. WMM53N60F2

Транзистори з каналом N SMD WMM53N60F2

 
WMM53N60F2
 
Артикул: 778696
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 26А; Idm: 90А; 350Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
400.41 грн
3+
357.60 грн
5+
238.66 грн
12+
225.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
26А(1441513)
Опір в стані провідності
78мОм(1479284)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
350Вт(1701906)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
58нКл(1478954)
Технологія
WMOS™ F2(1946792)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
90А(1797079)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD WMM53N60F2
Артикул: 778696
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 26А; Idm: 90А; 350Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
400.41 грн
3+
357.60 грн
5+
238.66 грн
12+
225.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
26А
Опір в стані провідності
78мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
350Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
58нКл
Технологія
WMOS™ F2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
90А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g