0 0 0
  8. WMM80R350S

Транзистори з каналом N SMD WMM80R350S

 
WMM80R350S
 
Артикул: 778734
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
224.90 грн
5+
202.65 грн
7+
160.53 грн
18+
151.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
8,4А(1610005)
Опір в стані провідності
0,33Ом(1645025)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
183Вт(1758557)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
31нКл(1479192)
Технологія
WMOS™ S(1960117)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
56А(1789201)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD WMM80R350S
Артикул: 778734
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
224.90 грн
5+
202.65 грн
7+
160.53 грн
18+
151.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
8,4А
Опір в стані провідності
0,33Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
183Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
31нКл
Технологія
WMOS™ S
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
56А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g